[기계신문] 한국기계연구원은 22일 플라즈마연구실 김형우 박사와 성균관대학교 김태성 교수 연구팀이 공동으로 ‘플라즈마 기반 반응성 이온 식각(Reactive ion etcher, 이하 RIE) 장비를 이용해 차세대 반도체 이황화 몰리브덴(MoS₂)의 4인치 대면적 원자층 식각 기술을 개발했다고 밝혔다.
기존 실리콘 기반 반도체의 경우 미세공정을 통해 반도체 칩의 선폭이 점점 좁아지면서 원자 단위까지 공정 제어가 필요하다. 하지만 실리콘은 원자층 두께로 얇아지면서 터널링 효과로 인해 단원자 두께의 정밀한 공정이 어렵다.
MoS₂ 기반 반도체는 넓은 면적을 균일하게 형성하기가 어려웠으나, 이번 연구를 통해 플라즈마 화학기상증착법(Plasma-enhanced chemical vapor deposition) 장비와 RIE 장비를 이용해 세계 최초로 4인치 수준의 대면적에서 원하는 원자층 두께로 MoS₂의 식각이 가능한 공정을 개발해 MoS₂ 반도체를 양산할 수 있는 토대를 마련했다.
MoS₂는 반도체 성능 지표인 on/off 비율이 기존 실리콘 대비 1,000배 이상 높아 뛰어난 반도체 성능을 유지할 수 있다. 또, 플라즈마 식각 공정 수행 시 반도체 표면에 불순물이 잔류하기 때문에 이를 제거하기 위한 추가 공정이 필요하다는 단점이 있다.
연구팀은 이 문제를 밀도범함수이론(Density functional theory) 기반의 계산과학 스크리닝 시스템을 도입하여 해결했다.
한국기계연구원 김형우 선임연구원은 “최근 AI, GPT, IoT, 자율주행, 클라우드 등 미래 산업들이 반도체 칩의 미세선폭 제어가 가능한 공정의 중요성이 부각되고 있다”며 “이번 기술 개발을 통해 2D 차세대 반도체 공정으로 MoS₂ 반도체를 양산 수준까지 향상해 반도체 산업 발전에 기여할 수 있을 것으로 기대한다”고 밝혔다.
이번 연구는 국제학술지 ‘케미스트리 오브 메터리얼즈(Chemistry of Materials)’에 2023년 2월 출판 및 표지 논문으로 선정되었으며, 한국기계연구원 기본사업 ’반도체·디스플레이산업 핵심공정용 플라즈마 장비 기반 원천 기술 개발’ 과제의 지원을 받아 수행됐다.
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