[기계신문] 시스템 반도체 소재 전문 기업 아이브이웍스(IVWorks)가 국내 최초로 ‘6인치 GaN(질화갈륨) on SiC(실리콘 카바이드) 에피웨이퍼’ 국산화에 성공했다.
GaN on SiC 에피웨이퍼는 5G 통신장비의 신호증폭기로 사용되는 ‘GaN 트랜지스터’의 핵심 원재료로, 아이브이웍스는 2년 전 국내 최초로 4인치 GaN on SiC 생산을 시작, 이번에 6인치 GaN on SiC 국산화에 연달아 성공했다.
GaN 트랜지스터는 고효율, 고출력, 고주파 특성으로 28GHz 5G 통신장비에 필수로 적용된다. 현재 미국과 일본에서는 28GHz 5G가 상용화되고 있으며, 우리나라를 포함한 세계 각국에서도 상용화가 진행 중이어서 GaN 트랜지스터 수요가 급증하고 있다.
그러나 기존 4인치 GaN on SiC는 좁은 면적 때문에 한 공정에서 생산 가능한 칩 개수가 적어, 이는 제품 원가 상승의 원인이 되었다. 이번 6인치 GaN on SiC는 기존 대비 2배 이상의 칩 생산이 가능해 원가 경쟁력을 확보할 수 있다.
대구경화와 동시에 품질, 수율을 모두 확보하는 것은 고도의 기술력을 요구하기 때문에 전 세계적으로 소수의 기업만 6인치 기술 개발에 성공했다. 아이브이웍스는 인공지능 시스템이 원자층 단위로 소재 합성을 제어하는 기술을 세계 최초로 개발하고 생산에 도입함으로써 대구경 제품에서도 품질과 수율을 모두 확보했다.
아이브이웍스 노영균 대표는 “GaN on SiC 에피웨이퍼는 LTE보다 20배 빠르다고 알려진 28GHz 5G 통신장비에 필수적으로 사용되는 핵심소재”라며 “5G 통신 기술 관련 반도체 소재를 수출규제로 전략화하고 있는 소재 강국들 사이에서 자체 기술로 소재 독립을 이뤄낸 성과”라고 평가했다.
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